装备系统特点：
l 团簇型结构，可以不同的腔室完成相同的作业，也可以连续不同的腔室完成不同的作业
l 温度范围：360℃~550℃
l 成膜范围：SiNx、SiOx、SiOx、SiONx、a-Si等
l 可以运用于LTPS PECVD工艺，也可以用于柔性封装工艺
l 薄膜非均匀性：≤ 5%
l 自动调频匹配系统： 射频起辉到稳定时间≤0.1s with either 13.56 or 40.68 MHz
l 双真空设计
l 整个CVD工艺过程处于超洁净环境，无交叉污染
l 配备等离子体自清洗系统，无需开腔体维护，增加正常运行时间
地址：上海市松江区九亭镇叶亭路28号4栋5层 
Tel : 021-66668888 
